1.读芯片ID
1.1 读芯片ID时序
简化为4个步骤:
1.使能片选
2.写命令0x90
3.写地址0x00
4.读ID信息
/* 识别NAND FLASH */ void scan_nand_flash(void) { int i; //保存读取ID信息的数组 unsigned char id_info[5] = {0}; nand_enable_cs();//使能CS nand_write_cmd(0x90); nand_write_addr(0x00); for(i = 0;i < 5;i++){ id_info[i] = nand_read_data(); } nand_disable_cs();//禁止CS printf("Maker Code: 0x%x\r\n",id_info[0]); printf("Device Code: 0x%x\r\n",id_info[1]); printf("3rd cycle: 0x%x\n\r",id_info[2]); printf("Page size: %d KB\n\r",1 << (id_info[3] & 0x03));//页大小与id_info[3]最低2位有关 printf("Block size: %d KB\n\r",64 << ((id_info[3] >> 4) & 0x03));//块大小与id_info[3]第4、5位有关 printf("5th cycle: 0x%x\n\r",id_info[4]);
1.2 由ID数据获得芯片参数
- ID信息的第4字节为
0x95
- 页大小与id_info[3]最低2位有关,可得页大小为:
2KB
- 块大小与id_info[3]第4、5位有关,可得块大小为:
128KB
注意:如果此时烧写到Nand Flash,并从Nand Flash启动程序是不会成功的,因为这个bin文件大小已经超过了4K,且现在还没有实现nand flash的读函数。
2.读数据
目标:实现从NAND FLASH中启动,重定位所有数据至SDRAM,并实现读取芯片ID数据
2.1 NAND内部结构分析
- OOB:out of bank(在bank之外)
由上图可得: - 1Page = 2KB + 64B
- 1Block = 64 * Pages = 128KB + 4KB
- 1Device = 2048 * Blocks = 256MB + 8MB
- OOB区的作用:因为nand的缺点是会发生
“位反转”
,为了解决这个问题,nand中的OOB区,用于校验数据区的数据是否发生错误,当有错误时,可以恢复数据。(其本身不存储数据) - 因为OOB中并不存放数据,只是用于校验数据区是否发生错误,因此当CPU读取Nand Flash第2048个数据,该数据为
Page1中的第0个byte
2.2 地址序列与时序
- 由地址序列可以看出:发出地址信号共需5个周期,前2个周期发出列地址(Column Address),后3个周期发出行地址(Row Address)
- 地址线序列有一些位是没有用到的,其目的也是以后兼容更大芯片的nand falsh
Nand Flash内部结构展开大致如下:
2.3 读数据流程
- 1.发出片选信号
- 2.发出0x00命令
- 3.发送5个周期的地址(两个列地址,三个行地址(page))
- 4.再发送0x30命令
- 5.等待就绪
- 6.读数据
- 7.禁止片选
2.4 转换所读地址的列与页
将输入的地址addr转换为:
- 列地址(Col Address)
- page是定位到哪一个页,col变量定位的就是在这个页的偏移量(在这个页上的第几列0~2047)
- 行地址(页)
- 因为读取数据的时候是一次性读出一页,因此当给出地址addr之后,每一页的数据大小是2K,因此我们可以根据地址知道我们读取的数据是哪一个页
int col = addr % 2048;//列地址 addr &(2048-1);
int page = addr / 2048;//行地址(相当于页地址)
2.5 NAND等待就绪
- 当NFSATA[0] = 0时,表示正忙
- 当NFSATA[0] = 1时,表示就绪
/* 等待NAND就绪 */ void nand_wait_ready(void) { while(!(NFSTAT & 0x01));//当NFSATA[0] = 1时,表示就绪 }
2.6 读取数据函数
/* NAND FLASH读取数据
* param:读取的地址、存放的地址、读取的长度
*/
void read_nand_data(unsigned int addr,unsigned char *buf,unsigned int len)
{
int i = 0;
/*page是定位到哪一个页,col变量定位的就是在这个
*页的偏移量(在这个页上的第几列0~2047)
*/
int col = addr % 2048;//列地址 addr &(2048-1);
/* 因为读取数据的时候是一次性读出一页,因此当给出
* 地址addr之后,每一页的数据大小是2K,因此我们可以
* 根据地址知道我们读取的数据是哪一个页
*/
int page = addr / 2048;//行地址(相当于页地址)
nand_enable_cs();//1.使能CS
while(i < len){
nand_write_cmd(0x00); //2.发出0x00命令
/* col addr */
nand_write_addr(col & 0xFF);//3.发出地址
nand_write_addr((col >> 8) & 0xFF);
/* row/page addr */
nand_write_addr(page & 0xFF);
nand_write_addr((page >> 8) & 0xFF);
nand_write_addr((page >> 16) & 0xFF);
nand_write_cmd(0x30);//4.发出0x30命令
nand_wait_ready(); //5.等待就绪
/* for循环中有2个条件
* 1.当读到页尾,但还是没有读完,说明需要读取下一页
* 2.当已经读取指定字节数,则不再读取
*/
for(; (col < 2048) && (i < len); col++){//6.读数据
buf[i++] = nand_read_data_byte();
}
if(i == len){
break;
}
col = 0;
page++;//指向下一页
}
nand_disable_cs(); //7.禁止CS
}
2.7 NAND重定位
从Nand Flash启动,此时片内SRAM的地址对应的就是CPU的0地址,如果从Nand Flash启动,2440硬件会把nand Flash前4K的数据复制到片内SRAM,如果Nand Flash上的程序大于4K,那后续数据就会丢失,相当于只重定位了前4K的代码。
如何解决上述问题:
- 1.前提:实现了NAND FLASH读取数据函数
- 2.代码烧写到NAND FLASH,并从NAND中启动
- 3.程序运行到重定位代码的位置判断一下,是从Nand Flash启动还是NOR Flash启动(通过往0地址写数据,因为Nand是支持读写的,所以读出的结果和写的结果一样,而NOR Flash不能像内存一样读写,因此读写的内容是不一致的)
- 4.如果从NOR Flash启动,直接使用简单的重定位代码就行,如果是Nand Flash启动,那就是用Nnad Flash的读函数进行代码的重定位。
首先判断从NorFlash or NandFlash中启动
/* 检查是否从NorFlash中启动
* 方法:写0x12345678到0地址,在读取出来,如果得到0x12345678,表示0地址上的内容被修改,即为片内RAM,则为nand启动
* 原因:原因:nor不能直接写入,写入需要发出一定格式的数据,才能写入
* 返回0为nand启动,返回1为nor启动
*/
int isBootFromNorFlash(void)
{
volatile unsigned int *p = (volatile unsigned int *)0;
unsigned int val = *p;//暂存[0]上的数据
*p = 0xdeadc0de;//dead code任意值
if(0xdeadc0de == *p){
/* 写成功,对应nand启动 */
*p = val;//恢复原来的值
return 0;
}
else{
return 1;
}
}
重定位代码
/*
* 将除bss段的全部数据拷贝到sdram中
* 传递形参,原地址src:_start 目标地址dest:__bss_start 长度len:__bss_start-_star
*/
void copy_to_sdram(void)
{
/* 要从lds文件中获取__code_start、__bss_start
* 然后从0地址把数据复制到__code_start
*/
extern int __code_start,__bss_start; //声明外部变量
volatile unsigned int *src = (volatile unsigned int *)0; //flash中0地址
volatile unsigned int *dest = (volatile unsigned int *)&__code_start; //目标地址:sdram中的0x30000000地址
volatile unsigned int *end = (volatile unsigned int *)&__bss_start; //结束地址:bss的起始地址
int len = (int)&__bss_start - (int)&__code_start;//获取数据总长度
if(isBootFromNorFlash()){//如果从Nor中启动
while(dest < end){
*dest++ = *src++; //拷贝
}
}
else{//从Nand中启动,需要先初始化nand,然后重定位代码
nand_init();
//从 src 复制到 des ,总共复制len字节,也就是重定位的代码
read_nand_data((unsigned int)src,(unsigned char *)dest,len);
}
}
2.7 读数据测试
读取0地址后160bytes的数据,如果跟.bin文件前160字节数据相同,则读取成功,否则读取失败
/* 测试函数:读数nand上160bytes数据
*/
void read_nand_flash(void)
{
int i,j;
unsigned int addr,hex_addr;
unsigned char c,str[16],data[160];
volatile unsigned char *p;
/* 获得地址 */
printf("*****Enter the address to read:");
addr = get_uint();
read_nand_data(addr,data,160);//获取到地址上的数据
p = (volatile unsigned char *)data;//p指向data,用于打印data数据
hex_addr = addr;//起始地址
printf("Read Data:\r\n");
printf(" 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0a 0b 0c 0d 0e 0f\n\r");
/* 长度固定为160 bytes */
for(i = 0; i < 10; i++){
printf("0x%08x ",hex_addr);
//每行打印16个16进制数
for(j = 0; j < 16; j++){
c = *p++;//读取16个
str[j] = c;//保存字符
//先打印数值
printf("%02x ",c);
}
printf(" | ");
//后打印字符
for(j = 0; j < 16; j++){
if(str[j] < 0x20 || str[j] > 0x7e){//不可视字符,打印‘.’
printf(".");
}
else{
printf("%c",str[j]);
}
}
hex_addr+=16;//换行+16
printf("\n\r");
}
}
由上测试可知读取成功
3.擦除
3.1 擦除时序
- 1.发出片选信号
- 2.发出0x60命令
- 3.发送3个行地址(page)
- 4.再发送0xD0命令
- 5.等待就绪(等待擦除完成)
- 6.禁止片选
3.2 地址和参数合法性
- 由于按块来擦除(128KB),因此地址和参数都必须是128K的倍数
/* 检查参数合法性 */ if(addr & (0x1FFFF)){ //128K printf("Err addr! Please enter an integral multiple of 128K\r\n"); return -1; } if(len & (0x1FFFF)){ //128K printf("Err len! Please enter an integral multiple of 128K\r\n"); return -1; }
3.3 擦除函数
/* NAND FLASH擦除数据
* param:擦除的起始地址、擦除的长度(byte)
* ret:失败-1,成功0
*/
int erase_nand_data(unsigned int addr,unsigned int len)
{
int page = addr / 2048;//行地址
/* 检查参数合法性 */
if(addr & (0x1FFFF)){ //128K
printf("Err addr! Please enter an integral multiple of 128K\r\n");
return -1;
}
if(len & (0x1FFFF)){ //128K
printf("Err len! Please enter an integral multiple of 128K\r\n");
return -1;
}
/* 1.使能CS */
nand_enable_cs();
while(1)
{
page = addr / 2048;//行地址
/* 2.发出0x60命令 */
nand_write_cmd(0x60);
/* 3.发出地址row/page addr */
nand_page(page);
/* 4.发出0xD0命令 */
nand_write_cmd(0xD0);
/* 5.等待就绪(等待擦除完成) */
nand_wait_ready();
len -= (128*1024);//长度减去一个block
if(0 == len){
break;
}
addr += (128*1024);//指向下一块
}
/* 6.禁止CS */
nand_disable_cs();
return 0;
}
3.4 擦除数据测试
/* 擦除测试函数:固定擦除一个1block = 128K
*/
void erase_nand_flash(void)
{
int addr;
unsigned int whichblock;
/* 获得第几个Block */
printf("Enter the address of sector to erase: ");
addr = get_uint();
whichblock = addr / (128*1024);
printf("***** block number : [ %d ]\r\n",whichblock);
/* 提示擦除数据的范围 */
printf("***** Erase range : 0x%08x - 0x%08x\n\r",addr,(addr+(128*1024)));
printf("***** erase ...\r\n");
if(erase_nand_data(addr,128*1024) == 0){//如果擦除成功
printf("***** Erase finished!\r\n");
}
else{
printf("***** Erase fail!\r\n");
}
}
4.写数据
4.1 写数据时序
- 1.发出片选信号
- 2.发出0x80命令
- 3.发送5个周期的地址(两个列地址,三个行地址(page))
- 4.写入数据
- 5.再发送0x10命令
- 6.等待就绪(等待擦除完成)
- 7.禁止片选
4.2 写数据函数
/* NAND FLASH写入数据
* param:写入的地址、数据指针、写入的长度
*/
void write_nand_data(unsigned int addr,unsigned char *buf,unsigned int len)
{
int i = 0;
int page = addr / 2048;
int col = addr & (2048 - 1);
/* 1.使能CS */
nand_enable_cs();
while(1){
/* 2.发出0x80命令 */
nand_write_cmd(0x80);
/* 3.发出地址 */
nand_col(col);
nand_page(page);
/* 4.写入数据*/
for(; (col < 2048) && (i < len); ){
nand_write_data_byte(buf[i++]);
}
/* 5.发出0x10命令 */
nand_write_cmd(0x10);
/* 6.等待就绪(等待写入完成) */
nand_wait_ready();
if(i == len){
break;
}
else{
col = 0;
page++;
}
}
/* 7.禁止CS */
nand_disable_cs();
}
4.3 写数据测试
此处注意:一般在烧写数据之前需要对数据进行擦除操作,除非原本的数据全f,否则都需要进行擦除,不然写入的数据会有问题。
void write_nand_flash(void)
{
unsigned int addr;
unsigned char str[50];
unsigned int len;
/* 获得第几个Block */
printf("***** Enter addr to write: ");
addr = get_uint();
printf("***** Enter the string to write: ");
gets(str);
len = strlen(str) + 1;
printf("***** write range : 0x%08x - 0x%08x\r\n",addr,(addr + len));
printf("***** writing ...\r\n");
write_nand_data(addr,str,strlen(str)+1);//strlen不包括结束符'\0',因此需要+1
printf("***** writing finished\r\n");
}
- 在
0x100000
地址写入“hello,world!” - 读取数据
5.判断是否为坏块
通过读取OOB区的第0个字节(即第
2048
个字节)来判断,如果不是0xFF,为坏块,否则不是
/* 判断是否为坏块
* ret:返回1为坏块,返回0不是
*/
int isNandBadBlock(unsigned int addr)
{
unsigned int col = 2048;//读取OOB区第0个字节
unsigned int page = addr / 2048;
unsigned char val = 0;
/* 1. 选中 */
nand_enable_cs();
/* 2. 发出读命令00h */
nand_write_cmd(0x00);
/* 3. 发出地址(分5步发出) */
nand_col(col);
nand_page(page);
/* 4. 发出读命令30h */
nand_write_cmd(0x30);
/* 5. 判断状态,等待就绪 */
nand_wait_ready();
/* 6. 读数据 */
val = nand_read_data_byte();
/* 7. 取消选中 */
nand_disable_cs();
if(val != 0xFF){
return 1; /* 坏块 */
}
else{
return 0;
}
}
6.ECC
- ECC(Error Checking and Correction),是一种用于Nand的差错检测和修正算法。